栅隧穿电流分量研究_电子行业学术文章_质量学术文章_电子质量E周刊 关键词： MOS器件；栅氧化层；隧穿 [gap=480]Key words: MOS devices;gate oxide;tunneling
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为此，晶圆厂已尝试运用包括减少导线间闸极氧化层(Gate Oxide)，或在16及14纳米制程增加动态电力密度，甚至采用更大型、更昂贵的次世代制程因应越趋复杂的设计，以解决秏电问题。
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为节制电流的结晶体管门(transistor gate)以及氧化栅极(gate oxide)间隔将很是贴近，因此， 将发生电子漂移征象 ( electrons drift )如果发生这类情况，结晶体管会失去靠患上住性，缘故原由是结晶体...
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gate oxide defect 栅氧化层缺陷
gate oxide integrity 栅极氧化层的完整性 ; 完整性 ; 门氧化层完整性
Gate oxide Furnace 门极氧化炉
thin gate oxide [电子] 薄栅氧化层
gate oxide leakage 栅氧化层泄漏
gate-oxide 栅氧
dual gate oxide 双栅氧 ; 提出了一种新的双栅氧
A high electrical field apparently developed across the gate-oxide of a Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) during plasma processing. This high electric field leads to gate oxide breakdown or wear-out (lifetime shortening).
在等离子体工艺中,MOSFET的栅氧化膜上存在较高的电场应力,进而使得栅氧击穿或失效(寿命缩短)。
参考来源 - 等离子工艺引起的栅氧化膜充电损伤机理研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
以上来源于: WordNet
The smaller feature size means thinner gate oxide, smaller voltage that gate oxide can endure.
因为特征尺寸的缩小意味着栅氧层的变薄，更小的电压就能够击穿器件的栅氧层；
TDDB(time-dependent dielectric breakdown)is a key method to value the quality of thin gate oxide.
经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。
Hot-carrier enhanced TDDB effect of ultra-thin gate oxide is investigated by using substrate hot-carrier injection technique.
本文通过衬底热载流子注入技术，研究了热载流子增强的超薄栅氧化层TDDB效应。
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